高効率と小型化のためのGaNベースの電源装置,RF部品,充電器

ガリウムナイトリド (GaN) は とても硬い 安定した 幅広く半導体材料です シリコンベースの装置と比較して,ガリウムナイトリドベースの電源装置は,より高い分解強度,より速い切り替え,より高い熱伝導性,より低い伝導抵抗によりより優れていることが判明しました. ガリウムナイトリド結晶は 石灰,シリコン,シリコンなど 様々な材料で生長します 上にGaNの表軸層を培養すると,既存の生産技術が使用され,高価な専門製造を必要とせず,安価な大きなウエフを使用することができます.

ガリウムナイトリードは画像電源装置および半導体:RF部品,高電源発光二極管など製造に使用される.現在,ガリウムナイトリッド技術が電源変換,無線周波数およびアナログアプリケーションの分野でシリコン半導体技術に取って代わるために使用できることが確立されています.

ガリウムナイトリードは,セミコンダクターの第3世代のコア材料として,より広く知られる場合もあります. シリコンと比較すると,ガリウムナイトリッドは電圧と帯域幅が高く,ガリウムナイトリッドはシリコンよりも多くの電流を生成することができる. 簡単に言うと,この2つの材料のどの容量でも,ガリウムナイトリドの効率は常によりよいでしょう. 電子機器の消費電力をさらに10%から25%削減できるかもしれません 電子機器の消費電力をさらに10%から25%削減できるかもしれません 充電器の基礎材料としてガリウムナイトリッドを使用すると,より多くのパワーとより少ない容量を達成できます. 通信や軍事産業においてガリウムナイトリド材料を使用した試みは,以前にも行われていた. 技術の発展と人々のニーズにより ガリウムナイトライド製品が私たちの生活に入り,充電器のスペースを占めるようになりました

ガリウムナイトリッドは 現在世界中で高速で電源を切り替える装置の一つで 高周波で動作する間でもより高いレベルの電源を切り替える能力があります 高い強度で変換できますが,より小さなトランスフォーマーで